Компания Denso сообщила о запуске в массовое производство полупроводника из карбида кремния (SiC), который применяется в блоке управления мощностью водородной топливной ячейки электромобиля Toyota Mirai 2021 модельного года.
Технология карбидкремниевых полупроводников разрабатывается в Denso на протяжении нескольких лет. Она получила название REVOSIC и должна послужить тому, что транзисторы и диоды из SiC вскоре найдут широкое применение в автомобилестроении, вытеснив традиционный кремний.
Карбидкремниевые силовые полупроводники имеют немало преимуществ в сравнении с решениями, использующимися сейчас. У них, например, выше напряжение пробоя и теплопроводность. Для силовой электроники это весьма важно, ведь высокий порог пробоя дает возможность работать с напряжением, в 10 раз превосходящим то, на которое рассчитаны обычные кремниевые полупроводники. Благодаря высокой теплопроводности SiC полупроводник не перегревается, теоретически он способен выдержать до 1000 °C. Помимо всего прочего, карбид кремния имеет меньшую площадь при сопоставимом значении сопротивления. Это означает, что транзисторы и диоды будут компактнее при более высоком коэффициенте полезного действия и при той же мощности, что и их кремниевые аналоги.
Высокие эксплуатационные характеристики карбида кремния были открыты не вчера. Еще в 2014 году компания Denso выпустила транзистор SiC – правда, применялся он не в автомобилях. В 2018 году компания впервые предложила карбидкремниевый полупроводник для работающего на водородных топливных элементах автобуса Toyota Sora.
В Toyota Mirai карбид кремния работает в преобразователях, повышающих напряжение, и в инверторе питания тягового электродвигателя. Применение технологии REVOSIC позволило увеличить эффективность транспортного средства и сэкономило полезное пространство, так как новый блок управления стал примерно на треть меньше.